книга Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
0

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design

  • Сейчас читают 0
  • Отложили 0
  • Прочитали 0
  • Не дочитали 0
Автор:
A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
  • John Wiley & Sons Limited
  • 9780471660996

Материалы

Отзывы

Раз в месяц дарим подарки самому активному читателю.
Оставляйте больше отзывов, и мы наградим вас!
Чтобы добавить отзыв, вы должны .

Цитаты

Вы можете первыми опубликовать цитату

Чтобы добавить цитату, вы должны .

Где найти