Численное моделирование элементов интегральных схем

Рассматривается новое направление анализа элементов кремниевых интегральных схем (ИС), в том числе больших (БИС) и сверхбольших (СБИС), связанное с численным моделированием их свойств и параметров на универсальных ЭВМ. Излагаются способы построения макроскопических моделей элементов на основе фундаментальной системы уравнений физики полупроводников. Основное содержание работы составляют специальные вычислительные методы и алгоритмы их реализации на ЭВМ в двухмерном и трехмерном случаях. Осуществляется систематизация и классификация численных методов. Приводятся примеры расчета биполярных и МДП-транзисторов, а также И2Л-элементов. Описаны первые отечественные универсальные программы двухмерного и трехмерного численного моделирования полупроводниковых приборов, элементов ИС и фрагментов БИС и СБИС, позволяющие анализировать структуры различных конструкций с произвольным количеством р-п-переходов. Изложен накопленный опыт разработки программ численного моделирования. Приведен...