Дефектообразование в кремниевых PIN-фотоприемниках

Работа посвящена проблеме изучения проблемы дефектообразования в инжекционных pin-фотоприемниках и влиянию дефектов на их параметры.Поскольку основные параметры полупроводников (время жизни, время свободного пробега и т.п.) сильно зависят от наличия дефектов, это оказывает влияние на такие параметры готовых pin-фотоприемников, как чувствительность, коэффициент усиления тока, время срабатывания, время регенерации, стабильность, избирательность, темновой ток.Показано, что влияние дефектов типа дислокаций на параметры фотоприемников, в основном, происходит вследствие изменения времени свободного пробега носителей зарядов, обусловленного существованием рассеивающих потенциальных барьеров,связанных с дефектами. Монография представляет интерес для широкого круга специалистов, работающих в области изучения проблем дефектообразования и для студентов физических факультетов.