
Диффузия и окисление полупроводников
Автор:
В книге изложены основные вопросы физики процессов диффузии и окисления полупроводников. Сделана попытка на основе атомистических модельных представлений рассмотреть наиболее существенные эффекты, связанные с переносом вещества в объеме, по дефектам и по поверхности...Ещё
В книге изложены основные вопросы физики процессов диффузии и окисления полупроводников. Сделана попытка на основе атомистических модельных представлений рассмотреть наиболее существенные эффекты, связанные с переносом вещества в объеме, по дефектам и по поверхности полупроводниковых кристаллов с решеткой алмаза - сфалерита. Рассмотрен широкий класс проблем, касающихся физики процесса окисления полупроводников, включая вопросы термодинамики, построения единой физической модели процессов активного и пассивного окисления, а также анализа экспериментальных данных по исследованию физики и кинетики процессов ионно-плазменного, термического и активного окисления полупроводников. Предназначена для инженеров и научных работников, занимающихся исследованиями полупроводниковых материалов, физикой твердого тела и производством полупроводниковых приборов. Может быть полезна студентам вузов, изучающим физику и технологию полупроводников.
- 1975 г.
Материалы
Отзывы
Раз в месяц дарим подарки самому активному читателю.Оставляйте больше отзывов, и мы наградим вас!
Цитаты
Вы можете первыми опубликовать цитату