Фотодиоды для экологического мониторинга

В книге описана разработка и оптимизация конструкции гетерофотодиода InAs/InAs0.94Sb0.06/InAsSbP/InAs0.88Sb0.12/ InAsSbP в отношении толщин, концентраций, а также геометрии омических контактов. Созданы и исследованы фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs0.94Sb0.06/InAsSbP/InAs0.88Sb0.12/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.3 мм, для экологического мониторинга. Отличительной особенностью фотодиодов является токовая монохроматическая чувствительность в максимуме спектра (?max = 4.0 ? 4.6 мкм), достигающая значений 0.6?0.8 A/Вт, значение плотности обратных темновых токов (1.3 ? 7.5)?10?2 A/см2 при напряжении обратного смещения 0.2 В. Дифференциальное сопротивление в отсутствии смещения достигает величины 700 ? 800 Ом. Обнаружительная способность фотодиодов в максимуме спектральной чувствительности достигает (5 ? 8)?108 см • Гц1/2•Вт?1. Предложен и опробован новый метод повышения квантовой эффективности фотодиодов для среднего ИК диапазона спектра (с граничной...