книга Инженерия дефектов в технологии полупроводников
0

Инженерия дефектов в технологии полупроводников

  • Сейчас читают 0
  • Отложили 0
  • Прочитали 0
  • Не дочитали 0
Разработка новых приборов или существенное улучшение их параметров нуждаются в развитии физических основ инженерии дефектов в их технологии. Для создания нового поколения силовых высоковольтных приборов (СВП) потребовалась разработка технологии изготовления структур с p-n...Ещё
Разработка новых приборов или существенное улучшение их параметров нуждаются в развитии физических основ инженерии дефектов в их технологии. Для создания нового поколения силовых высоковольтных приборов (СВП) потребовалась разработка технологии изготовления структур с p-n переходами на основе бездислокационного нейтронно-легированного кремния большого диаметра. В таких структурах доминирующим типом структурных дефектов являются собственные точечные дефекты (СТД) и их комплексы. Поведение СТД при характерных для СВП температурах и временах не было изучено, и отвергалось их участие в формировании электрически активных центров. При зарождении кремниевой оптоэлектроники высказывались сомнения о возможности создания светодиодов на основе кремния, поскольку он является не прямозонным полупроводником. Создание эффективных светодиодов потребовало исследования процессов образования структурных дефектов, электрически и оптически активных центров при легировании кремния ионами эрбия. В книге...
  • 9783844359398

Материалы

Отзывы

Раз в месяц дарим подарки самому активному читателю.
Оставляйте больше отзывов, и мы наградим вас!
Чтобы добавить отзыв, вы должны .

Цитаты

Вы можете первыми опубликовать цитату

Чтобы добавить цитату, вы должны .