![Книга Инженерия дефектов в технологии полупроводников на ReadRate.com книга Инженерия дефектов в технологии полупроводников](/img/pictures/book/166/166691/1666918/w240h400-212dcf7c.jpg)
Инженерия дефектов в технологии полупроводников
Автор:
Разработка новых приборов или существенное улучшение их параметров нуждаются в развитии физических основ инженерии дефектов в их технологии. Для создания нового поколения силовых высоковольтных приборов (СВП) потребовалась разработка технологии изготовления структур с p-n...Ещё
Разработка новых приборов или существенное улучшение их параметров нуждаются в развитии физических основ инженерии дефектов в их технологии. Для создания нового поколения силовых высоковольтных приборов (СВП) потребовалась разработка технологии изготовления структур с p-n переходами на основе бездислокационного нейтронно-легированного кремния большого диаметра. В таких структурах доминирующим типом структурных дефектов являются собственные точечные дефекты (СТД) и их комплексы. Поведение СТД при характерных для СВП температурах и временах не было изучено, и отвергалось их участие в формировании электрически активных центров. При зарождении кремниевой оптоэлектроники высказывались сомнения о возможности создания светодиодов на основе кремния, поскольку он является не прямозонным полупроводником. Создание эффективных светодиодов потребовало исследования процессов образования структурных дефектов, электрически и оптически активных центров при легировании кремния ионами эрбия. В книге...
- 2011 г.
- 9783844359398
Материалы
Отзывы
Раз в месяц дарим подарки самому активному читателю.Оставляйте больше отзывов, и мы наградим вас!
Цитаты
Вы можете первыми опубликовать цитату