Магнитотранзисторы: физика, моделирование, применение

В работе изучены влияние магнитного поля на основные физические процессы, протекающие в транзисторных структурах (инжекция, перенос и экстракция неосновных носителей), и возможности создания на базе таких структур преобразователей магнитного поля с различными свойствами. Определены основные механизмы чувствительности и построены физические и математические модели таких структур. Установлена зависимость их электрофизических параметров от конструкционно-технологических факторов и электрического режима. Исследованы созданные на основе транзисторных структур магниточувствительные элементы функциональной электроники, обладающие, за счет сочетания базового эффекта перераспределения концентрации инжектированных носителей под действием магнитного поля с другими электронными эффектами, рядом специальных свойств (пороговая и переключательная реакции на магнитное поле, положительный температурный коэффициент магниточувствительности и пр.). Рассмотрены вопросы разработки радиоэлектронных...