
Микроструктуры интегральной электроники
Автор:
Рассмотрена связь электрофизических характеристик и физических параметров микроструктур на полу- и сверхпроводниках: поверхностно-барьерных структур (металл-/n(р)-полупроводник, металл-р+(n+)-n(р)-полупроводник, металл-туннельный диэлектрик-полупроводник); слоистых...Ещё
Рассмотрена связь электрофизических характеристик и физических параметров микроструктур на полу- и сверхпроводниках: поверхностно-барьерных структур (металл-/n(р)-полупроводник, металл-р+(n+)-n(р)-полупроводник, металл-туннельный диэлектрик-полупроводник); слоистых полупроводниковых структур с системой потенциальных барьеров и квантовых ям (двух- и много-барьерные структуры, сверхрешетки); слоистых структур сверхпроводник-изолятор (или нормальный металл, полупроводник) сверхпроводник и периодических структур на их основе с джозефсоновской связью между слоями. Изложены основы физики, микротехнологии и применения микроструктур на элементарных, сложных полупроводниках и высокотемпературных сверхпроводниках в приборах, устройствах и сверхбольших сверхскоростных микросхемах. Для научных работников, специализирующихся в области микроэлектроники, полупроводниковых и сверхпроводниковых приборов.
- 1990 г.
- 5256004190
Материалы
Отзывы
Раз в месяц дарим подарки самому активному читателю.Оставляйте больше отзывов, и мы наградим вас!
Цитаты
Вы можете первыми опубликовать цитату