книга Микроструктуры интегральной электроники
0

Микроструктуры интегральной электроники

  • Сейчас читают 0
  • Отложили 0
  • Прочитали 0
  • Не дочитали 0
Рассмотрена связь электрофизических характеристик и физических параметров микроструктур на полу- и сверхпроводниках: поверхностно-барьерных структур (металл-/n(р)-полупроводник, металл-р+(n+)-n(р)-полупроводник, металл-туннельный диэлектрик-полупроводник); слоистых...Ещё
Рассмотрена связь электрофизических характеристик и физических параметров микроструктур на полу- и сверхпроводниках: поверхностно-барьерных структур (металл-/n(р)-полупроводник, металл-р+(n+)-n(р)-полупроводник, металл-туннельный диэлектрик-полупроводник); слоистых полупроводниковых структур с системой потенциальных барьеров и квантовых ям (двух- и много-барьерные структуры, сверхрешетки); слоистых структур сверхпроводник-изолятор (или нормальный металл, полупроводник) сверхпроводник и периодических структур на их основе с джозефсоновской связью между слоями. Изложены основы физики, микротехнологии и применения микроструктур на элементарных, сложных полупроводниках и высокотемпературных сверхпроводниках в приборах, устройствах и сверхбольших сверхскоростных микросхемах. Для научных работников, специализирующихся в области микроэлектроники, полупроводниковых и сверхпроводниковых приборов.
  • 5256004190

Материалы

Отзывы

Раз в месяц дарим подарки самому активному читателю.
Оставляйте больше отзывов, и мы наградим вас!
Чтобы добавить отзыв, вы должны .

Цитаты

Вы можете первыми опубликовать цитату

Чтобы добавить цитату, вы должны .