Определение параметров полупроводника по температурным зависимостям эдс холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности
-
Сейчас читают
-
Отложили
-
Прочитали
-
Не дочитали
Автор:
Приведена методика расчета основных параметров полупроводника – ширины запрещенной зоны, энергии ионизации примесных и рекомбинационных центров – по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности.
- МИСиС
- 2002 г.
Материалы
Отзывы
Раз в месяц дарим подарки самому активному читателю.Оставляйте больше отзывов, и мы наградим вас!
Цитаты
Вы можете первыми опубликовать цитату
Где найти
-
288,00 ₽