Полупроводниковые фотоприемники. Ультрафиолетовый, видимый и ближный инфракрасный диапазоны спектра

Описаны основное типы конструкций фоторезисторов, фотодиодов и других фотоприемников для областей спектра от ультрафиолетового до ближнего инфракрасного. Приведены основные параметры одно- и многоэлементных фотоприемников разных типов на основе различных полупроводниковых материалов. Изложены особенности построения фотоприемных устройств, новые направления их развития, в том числе матрицы с внутренним сканированием. Для инженерно-технических работников, связанных с созданием и использованием полупроводниковых приборов и оптико-электронной аппаратуры.