Разработка прецизионных методов исследования несовершенств кристаллов

Монография посвящена разработке и применению новых прецизионных интерферометрических и топографических методов исследования несовершенств кристаллов; теоретической разработке обобщенных признаков возникновения и наблюдения рентгеновских муаровых картин в кристаллических системах; разработке рентгеновской дифракционной стереометрической топографии несовершенств монокристаллов с применением кратных интерферометров; обнаружению и исследованию структурных нарушений полупроводниковых кристаллов, вызванных внешними воздействиями. Монография предназначена для широкого круга читателей - научных и инженерно-технических работников, магистрантов и аспирантов, интересующихся вопросами физики твердого тела, материаловедения, а также может быть использована для научных целей и в производстве полупроводниковых приборов.