
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост
Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии....Ещё
Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.
- Издательство ЛАНЬ
- 9785507454815
Материалы
Отзывы
Раз в месяц дарим подарки самому активному читателю.Оставляйте больше отзывов, и мы наградим вас!
Цитаты
Вы можете первыми опубликовать цитату
Где найти
-
1066,00 ₽