Дефектообразование в арсениде галлия при ионном облучении

В монографии приведены экспериментальные результаты по низкоэнергетичному облучению монокристаллического арсенида галлия ионами аргона с энергией 5 кэВ. Исследовано влияние облучения различными дозами на структурные, оптические и фотоэлектрические свойства. Обнаружено изменение свойств на расстояниях значительно превышающих глубину проникновения ионов. Предложена физико-математическая модель дефектно-дислокационной перестройки структуры с кластеризацией точечных дефектов. Определены основные уравнения, условия применимости, проведен теоретический и численный расчет.