Широкозонные полупроводники

В учебном пособии рассматриваются физические свойства широкозонных полупроводников - GaN, SiC и алмаза, технология изготовления эпитаксиальных пленок и структур на их основе и даются приборные приложения. Первая часть пособия посвящена бинарным и тройным широкозонным нитридам А(3) В(5), а последующие - другим широкозонным полупроводниковым материалам - карбиду кремния и алмазу. Успехи в технологии получения эпитаксиальных пленок GaN, InxGa(1-x)N и AlxGa(1-x)N заложили основы для широкого применения этих материалов в лазерной технике видимого и УФ-диапазонов, в светотехнике позволили заменить обычные лампы накаливания на твердотельные источники белого света, а в компьютерной технике - использовать оптические диски и полноцветные твердотельные дисплеи. В пособии подробно рассмотрены кристаллическая структура, особенности зонного спектра, электрические, оптические и упругие свойства нитридов GaN, AIN, InN и твердых растворов на их основе. Проанализированы физико-химические свойства...